Memoria RAM Kingston CSODIMM 8GB DDR5-6400, grun, KVR64V52BS6-8, Value
Marca: Kingston | Modelo: KVR64V52BS6-8 | EAN: 740617349016 | Cod. Artículo: P452502

Name: Memoria RAM Kingston CSODIMM 8GB DDR5-6400, grun, KVR64V52BS6-8, Value
Brand: Kingston
SKU: 452502
Price: 250.00 EUR
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RAM Kapazitat: 8GB (1x 8GB) Timings: CL52 52-52 DDR5-6400 (PC5-51200)Kingston Technology KVR64V52BS6-8. Componente para: Portátil, Memoria interna: 8 GB, Diseño memoria (módulos x tamaño): 1 x 8 GB, Tipo memoria interna: ...
Acerca del producto:

Capacidad de 8 GB en un solo módulo, ideal para mejorar el rendimiento de portátiles.
Memoria DDR5-6400 que ofrece una velocidad de transferencia rápida y eficiente.
Baja latencia CAS de 52, lo que contribuye a una respuesta ágil del sistema.
Formato SO-DIMM de 262 pines, compatible con la mayoría de los ordenadores portátiles modernos.
Marca confiable Kingston, reconocida por la calidad y durabilidad de sus componentes.

Precio: 250,00 €

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Marca: Kingston

Modelo: KVR64V52BS6-8

EAN: 740617349016

Cod. Artículo: P452502

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Datos Técnicos Memoria RAM Kingston CSODIMM 8GB DDR5-6400, grun, KVR64V52BS6-8, Value

Memoria RAM Kingston CSODIMM 8GB DDR5-6400, grun, KVR64V52BS6-8, ValueRAM | Kapazitat: 8GB (1x 8GB) | Timings: CL52 52-52 | DDR5-6400 (PC5-51200)

Kingston Technology KVR64V52BS6-8. Componente para: Portátil, Memoria interna: 8 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 8 GB, Tipo de memoria interna: DDR5, Forma de factor de memoria: 262-pin SO-DIMM, Latencia CAS: 52

Detalles técnicos
Certificados de conformidad	RoHS
Peso y dimensiones
Ancho	69,6 mm
Altura	30 mm
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa	0 - 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje	-55 - 100 °C
Empaquetado
Aprobaciones reguladoras
Contenido del embalaje
Batería
Otras características
Características
Memoria interna	8 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño)	1 x 8 GB
Tipo de memoria interna	DDR5
Componente para	Portátil
Forma de factor de memoria	262-pin SO-DIMM
ECC	No
Tipo de memoria con búfer	Con reloj? no registrado (sin búfer)
On-Die ECC	Si
Latencia CAS	52
Rango de memoria de transferencia de datos	6400 MT/s
Clasificación de memoria	1
Voltaje de memoria	1.1 V
Configuración de módulos	1024M x 64
Tiempo de ciclo de fila	48 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila	295 ns
Tiempo activo en fila	32 ns
Perfil SPD	Si
Programador de potencia de voltaje (VPP)	1,8 V
Placa de plomo	Oro
Estándar JEDEC	Si
Datos logísticos
Características del proveedor
Sostenibilidad
No contiene	Halógeno